Последние статьи:

Translator

Полупроводники

МЕТОДИ ВИМІРЮВАННЯ M-ПАРАМЕТРА В ТРАНЗИСТОРНИХ ПЛАНАРНИХ СТРУКТУРАХ

15 Апр 2010

МЕТОДИ ВИМІРЮВАННЯ M-ПАРАМЕТРА В ТРАНЗИСТОРНИХ ПЛАНАРНИХ СТРУКТУРАХ

А.М. Пасічник

Останнім часом параметр m залучає все більше уваги, як параметр, що однозначно характеризує стан поверхні напівпровідникових приладів . Визначення величини параметра m дозволить оперативно оцінити технологію й увести в неї певні корективи для виготовлення якісної продукції. Всі можливі методи визначення параметра m ґрунтуються на тім факті, що струм, що протікає в прямому напрямку через р-n перехід, являє собою суму струмів основних і неосновних носіїв. За результатами виміру m-фактора в області мікрострумів можна судити про надійність і шумові характеристики транзисторів і виконаних на них структур у діапазоні як мікро- , так і міліамперных струмів. Практична доцільність введення вхідного контролю транзисторів по m-фактору за допомогою простого й надійного у виробничих умовах напівавтомата не викликає сумнівів. У виробництві ИС можна контролювати характеристики транзисторних структур, визначаючи m-фактор на «тестовому» транзисторі. Об’єктом розгляду є m-параметр напівпровідникових планарних структур. Предмет роботи – оцінка значення m-параметра й висновки про справність приладів.

Read more on МЕТОДИ ВИМІРЮВАННЯ M-ПАРАМЕТРА В ТРАНЗИСТОРНИХ ПЛАНАРНИХ СТРУКТУРАХ...

ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК

14 Апр 2010

ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК

Е.А. Кулик

Сверхрешетками принято называть твердотельные структуры, в которых помимо периодического потенциала кристаллической решетки Vo®, имеется дополнительный одномерный потенциал VSL®, период которого существенно превышает постоянную решетки d, а его амплитуда A, как правило, меньше амплитуды Vo. СР характеризуются наличием большого числа зон, которые обладают очень сильной анизотропией (они практически двумерны). Наличие потенциала СР меняет энергетический спектр, параметры которого могут существенно изменяться в широких пределах. Транспортне свойства полупроводниковых сверхрешеток сильно анизотропные. Движение носителей тока в направлении оси сверхрешетки требует преодоления потенциального барьера – потенциала сверхрешетки. В электрических полях Ez, параллельном оси сверхрешетки, ВАХ имеет N-образную форму с обязательным наличием падающего участка, для обеспечения которого необходимо выполнение следующих условий: ширина разрешенной минизоны должна быть меньше, чем ширина запрещенной, размещенной выше, иначе зинеровский пробой ликвидирует падающий участок ВАХ; амплитуда колебаний должна быть меньше длины свободного пробега. Кроме того, большое значение периода d сверхрешетки позволяет наблюдать падающий участок ее ВАХ в относительно малых E . Увеличение количества монослоев в полупроводниковой сверхрешетке приводит к значительному (на порядок) увеличениюотношения максимального значения плотности тока для участка отрицательной диференциальной проводимости к долинному значению для этого участка, а также к значительному увеличению максимальной плотности тока (тоже на порядок).

Read more on ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК...

ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРУ ДЛЯ СЕЛЕКЦІЇ ІОНІВ Н+, ЯКИЙ КЕРУЄТЬСЯ ПРОЦЕСАМИ В ГІБРИДНОМУ МОНО РЕЖИМІ

05 Апр 2010

ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРУ ДЛЯ СЕЛЕКЦІЇ ІОНІВ Н+, ЯКИЙ КЕРУЄТЬСЯ ПРОЦЕСАМИ В ГІБРИДНОМУ МОНО РЕЖИМІ

І.О. Михайлов

В даній доповіді пропонується хімічна селекція іонів з використанням вентильного горизонтального біполярного планарного транзистору (ГБПТ). Розглядаються основні характеристики даного приладу та фізичні відмінності між ним та приладом, виконаним на основі бездомішкового польового МОН-транзистору, при дослідженні іонного детектування. ГБПТ з’явилися в кінці 1960 року. Відтоді проводилась інтенсивна дослідницька робота над характеристиками приладу, з метою його застосування як частини електронних схем. Біполярний прилад, реалізований за існуючою КМОН (комплементарна логіка на транзисторах метал-оксид-напівпровідник) технологією, гарантує вдосконалення характеристик системи при одночасному зменшенні вартості виготовлення. З цієї точки зору вентильний ГБПТ був пристосований до цифрових КМОН технологій, оскільки біполярні характеристики ГБПТ можна було реалізовувати без будь-яких модифікацій звичайного КМОН процесу. Вентильні ГБПТ по суті можуть використовувати структуру польових МОН транзисторів із затвором, витоком, стоком та джерелом. Чистий іоно-селективний транзистор (ІСТ) на основі МОН діє як електрохімічний вхідний перетворювач (датчик), який конвертує концентрацію іонів в корисний електронний сигнал в електрохімічній системі вимірювання. ІСТ складається з першого перетворювача, який перетворює концентрацію іонів гідрогену в поверхневу різницю потенціалів на структурі електроліт-ізолятор-напівпровідник (ЕІН), та другого перетворювача, що базується на теорії МОН та перетворює поверхневу різницю потенціалів в електричний сигнал. До нашого часу більшість дослідницьких робіт були зосереджені на першому перетворювачі, тобто на селекції плівок матеріалів з метою збільшення їх чутливості. Проте дана стаття фокусує увагу на другому перетворювачі, який працює використовуючи не чисту (бездомішкову) МОН-структуру, а біполярну або гібридну МОН-структуру. Навіть не дивлячись на те, що вентильний ГБПТ широко використовується як схемний елемент, не було доповідей про сфери застосування, які пов’язані з детектування іонів при зануренні в іонний розчин. Метою цієї публікації є продемонструвати, що вентильні ГБПТ, які використовують польові з домішками МОН-структури, роблять електрохімічний сенсор доступним, а характеристики цього приладу можуть бути легко пристосовані для вимірювань pH.

Read more on ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРУ ДЛЯ СЕЛЕКЦІЇ ІОНІВ Н+, ЯКИЙ КЕРУЄТЬСЯ ПРОЦЕСАМИ В ГІБРИДНОМУ МОНО РЕЖИМІ...

ПРОЛІТНИЙ КЛІСТРОН САНТИМЕТРОВОГО ДІАПАЗОНУ

05 Апр 2010

ПРОЛІТНИЙ КЛІСТРОН САНТИМЕТРОВОГО ДІАПАЗОНУ

В.С. Іванов

Клістрони застосовують у радіолокаційних, навігаційних, телевізійних системах і системах зв’язку, прискорювачах елементарних часток, генераторах для промислових, медичних й інших цілей [1]. Перевага підсилювального клістрона перед іншими приладами обумовлена тим, що в ньому області формування електронного потоку, високочастотної взаємодії й групування потоку розділені й незалежні одне від одного. Тому кожен вузол клістрона можна розраховувати найбільш раціонально й незалежно від інших вузлів, у результаті чого вдається створювати конструкції підсилювальних клістронів, довговічність яких дорівнює або перевищує довговічність будь-якого іншого потужного генератора в діапазоні СВЧ [2]. Для підвищення коефіцієнта підсилення пролітного клістрона в його конструкцію вводять додаткові (проміжні) резонатори. Оптимальна кількість резонаторів сягає 4-6 одиниць. Така кількість резонаторів дозволяє за рахунок зниження порогової вхідної потужності клістрона отримати високий рівень коефіцієнта підсилення (Кпідс), високий ККД. Крім того такий клістрон не викликає значних утруднень при налаштуванні. В презентованій роботі представлені результати розробки еквівалентної схеми коефіцієнта передачі п’ятирезонаторного пролітного клістрона, яка дозволяє оптимізувати його конструкцію при завданих параметрах.

Read more on ПРОЛІТНИЙ КЛІСТРОН САНТИМЕТРОВОГО ДІАПАЗОНУ...

ДОСЛІДЖЕННЯ ІМПУЛЬСНОГО РОЗПИЛЕННЯ РЕЧОВИНИ В МАГНЕТРОННИХ РОЗПИЛЮВАЛЬНИХ СИСТЕМАХ

05 Апр 2010

ДОСЛІДЖЕННЯ ІМПУЛЬСНОГО РОЗПИЛЕННЯ РЕЧОВИНИ В МАГНЕТРОННИХ РОЗПИЛЮВАЛЬНИХ СИСТЕМАХ

С.М. Дяченко

Одержання високоякісних тонкоплівочних шарів металів, сплавів, діелектриків і напівпровідників є однією з актуальних задач технології виготовлення різних елементів радіоелектронної апаратури. Іонне розпилення при низьких тисках є одним з найбільш перспективних методів виготовлення мікросхем. За допомогою MPC одержують надтонкі (20 нм) прозорі плівки, необхідні для виготовлення рідких кристалів, тонкі плівки ніхрому для прецизійних, фото– і рентгеношаблонів, плівки алюмінію і його сплавів, плівки тугоплавких металів для металізації інтегральних схем. При імпульсному розпиленні може спостерігатися ефект модуляції масопереносу розпиленої речовини. В магнетронних системах, що мають два або більше магнетронів, при одночасному нанесенні покриття, це може призвести до небажаних наслідків [1].
Була створена модель на базі метода Монте-Карло, для дослідження масо переносу в імпульсному розряді [2]. Показано, що при роботі на середніх частотах (одиниці – десятки кілогерц) осаджування плівок з великою швидкістю продовжується і у паузі між імпульсами. В режимах з прямокутною формою імпульсу тока та невеликою тривалістю токової паузи можливо практично повністю усунути амплітудну модуляцію потоку речовини, що осаджується на підкладці.
Приведений приклад розрахованого розподілення точок осадження розпилених атомів на передній та зворотній стороні підкладки при тиску 0.1 – 0.001 Торр. Також приведені результати розрахунку для пакетно – імпульсного режиму живлення магнетронного розряду. Довжина імпульсу складала 25 мкс, тиск Р = 0.001 Торр, частота їх слідування в середині пакету та довжина токової паузи змінювались.

ЛІТЕРАТУРА
Кузьмичёв А.И. Магнетронные распылительные системы.
Motohiro T. Application of Monte-Carlo simulation in the analysis of
a sputter-deposition process // J. Vac. Sci. Technol. – 1986. – Vol. A4.
– No 2. – P. 189-195.

Read more on ДОСЛІДЖЕННЯ ІМПУЛЬСНОГО РОЗПИЛЕННЯ РЕЧОВИНИ В МАГНЕТРОННИХ РОЗПИЛЮВАЛЬНИХ СИСТЕМАХ...

АВТОМАТИЗОВАНИЙ СТЕНД НА ОСНОВІ ПЛАТИ ЗБОРУ ДАНИХ NI USB – 6009 ДЛЯ ВИМІРЮВАННЯ ПАРАМЕТРІВ МІКРОМЕХАНІЧНОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА

28 марта 2010

АВТОМАТИЗОВАНИЙ СТЕНД НА ОСНОВІ ПЛАТИ ЗБОРУ ДАНИХ NI USB – 6009 ДЛЯ ВИМІРЮВАННЯ ПАРАМЕТРІВ МІКРОМЕХАНІЧНОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА
І.С. Дейнека, О.В. Борисов, Б.І. Лупина

В процесі розробки терморезисторних перетворювачів (ТРП) фізичних величин та їх виготовлення за МЕМС-технологією виникає необхідність в проведенні великих обсягів контрольно-вимірювальних операцій [1], виконання яких бажано перекласти на автоматизовані стенди з використанням комп’ютера для збору, обробки і аналізу отриманої інформації. Пропонується варіант автоматизованого стенду на основі плати збору інформації NI USB-6009, програмне забезпечення якого виконане в пакеті LabVIEW [2]. Автоматизований стенд для вимірювання параметрів терморезисторного мембранного елемента (рис. 1,а) включає в себе: досліджуваний зразок; електричну схему для визначення величини струмів, що протікають через нагрівачі; систему вимірювання температури «KIMO VT-200»; плату збору інформації «National Instruments 6009»; блок живлення електричної схеми; ПК з встановленим програмним забезпеченням. Програма забезпечує отримання характеристик ТРП у вигляді графіків і таблиць (рис. 1,б).

Read more on АВТОМАТИЗОВАНИЙ СТЕНД НА ОСНОВІ ПЛАТИ ЗБОРУ ДАНИХ NI USB – 6009 ДЛЯ ВИМІРЮВАННЯ ПАРАМЕТРІВ МІКРОМЕХАНІЧНОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА...

УСЛОВИЯ СОГЛАСОВАНИЯ ПУЛЬСИРУЮЩЕГО ПЬЕЗОКЕРАМИЧЕСКОГО ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ ПРИ ЕГО РАБОТЕ ОТ ЗАДАЮЩЕГО ГЕНЕРАТОРА ЧЕРЕЗ ДЛИННУЮ ЛИНИЮ

28 марта 2010

УСЛОВИЯ СОГЛАСОВАНИЯ ПУЛЬСИРУЮЩЕГО ПЬЕЗОКЕРАМИЧЕСКОГО ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО
ИЗЛУЧАТЕЛЯ ПРИ ЕГО РАБОТЕ ОТ ЗАДАЮЩЕГО ГЕНЕРАТОРА ЧЕРЕЗ ДЛИННУЮ ЛИНИЮ
Н.Ю. Филиппова

Рассматриваются характеристики излучателя, представленным одиночным цилиндрическим преобразователем в виде электроупругой круговой цилиндрической оболочки, который помещен в идеальную среду. Внешняя и внутренняя поверхности преобразователя-оболочки полностью электродированны. Предложенный тип электродирования определяет пульсирующий характер колебаний оболочки. Преобразователь подключен к задающему генератору через длинную линию, электромагнитные свойства которой описываются телеграфными уравнениями. В части определения акустических, механических, электрических характеристик преобразователя исследованы особенности нагружения 25 преобразователя и влияние нагружения на его динамические характе ристики. Расчетные ситуации включают в себя исследование поведения однородной длинной линии без потерь с учетом характера нагружения линии и учета относительного изменения внутреннего сопротивления преобразователя. Предлагаемая работа относится к классу задач стационарной гидроэлектроупругости и представляет собой задачу «сквозного» типа для режима излучения (от наряжения на выходе задающего устройства –генератора до давления в рабочей среде). Определены условия согласования задающегоустройства, а также работы преобразователя при выбранной длинной линии.

Read more on УСЛОВИЯ СОГЛАСОВАНИЯ ПУЛЬСИРУЮЩЕГО ПЬЕЗОКЕРАМИЧЕСКОГО ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ ПРИ ЕГО РАБОТЕ ОТ ЗАДАЮЩЕГО ГЕНЕРАТОРА ЧЕРЕЗ ДЛИННУЮ ЛИНИЮ...

ЗОЛОТІ НАНОСОТИ ДЛЯ ЛІТІЄВИХ БАТАРЕЙ

21 марта 2010

ЗОЛОТІ НАНОСОТИ ДЛЯ ЛІТІЄВИХ БАТАРЕЙ

Станковіч Ч.Р.

Керівник: Жовнір М.Ф.

Кафедра електронних приладів та пристроїв

Використання наноматеріалів відкриває великі перспективи для створення приладів нового покоління, вирішуючи проблеми високого споживання енергії, низької ефективності і екологічної небезпеки виробництва [1]. Так літієві електроди на основі наноматеріалів розглядаються як потенційна заміна традиційних.

Read more on ЗОЛОТІ НАНОСОТИ ДЛЯ ЛІТІЄВИХ БАТАРЕЙ...

Copyright © 2010 KpiArticle.com
Все права охраняются законодательством Украины. Использование материалов kpiarticle.com разрешается при условии размещения ссылки (для интернет-изданий гиперссылка, не закрытая для индексации поисковыми системами) на kpiarticle.com