Последние статьи:

Translator

Твердотельная электроника

Вклад обменного взаимодействия и анизотропии в отражение объемных спиновых волн от мультислойной структуры

26 мая 2010
УДК 238.22
Ю.И. Горобец, д-р физ. -мат. наук, С.А. Решетняк, канд. физ. -мат. наук, Т.А. Хоменко
Вклад обменного взаимодействия и анизотропии в отражение объемных спиновых волн от мультислойной структуры

Изучен вклад обменного взаимодействия и анизотропии в отражение объемных спиновых волн от мультислойной ферромаг- нитной структуры с периодически модули- рованными параметрами обменного взаимодействия, одноосной магнитной анизотропии и намагниченности насыщения. По- лучены выражения для коэффициентов отражения объемных спиновых волн от от- дельного периода и от мультислойной структуры с учётом затухания спиновых волн. Исследованы изменения коэффициен- та отражения при вариации значений маг- нитных параметров материала, таких как па- раметр обменного взаимодействия и пара- метр одноосной магнитной анизотропии.

Read more on Вклад обменного взаимодействия и анизотропии в отражение объемных спиновых волн от мультислойной структуры...

Нові конструкції напівпровідникових тонкоплівкових 3-D сенсорів магнітного поля

26 мая 2010

УДК 621.315

І.А. Большакова, д-р техн. наук, Р.Л. Голяка, д-р техн. наук, О.Ю. Макідо, канд. техн. наук, Т.А. Марусенкова

Нові конструкції напівпровідникових тонкоплівкових 3-D сенсорів магнітного поля

Анализируются проблемы создания гальваномагнитных 3-D сенсоров для изме-рения ортогональных проекций BX, BY, BZ вектора индукции магнитного поля. Предло- жена новая конструкция 3-D сенсора на ос- нове полупроводников группы A3B5. В отли- чие от известных аналогов, реализация ко- торых предполагает использование базиса кремниевых интегральных схем, предложенные сенсоры изготавливаются на основе тонкопленочной технологии и не требуют изолирующих p-n переходов. Это обеспечи- вает высокую стабильность созданных сен- соров в экстремальных условиях эксплуатации.

Read more on Нові конструкції напівпровідникових тонкоплівкових 3-D сенсорів магнітного поля...

Автофазная ЛБВ-Н с переменной фазовой скоростью и соленоидальной фокусировкой со 100% захватом электронов

23 Апр 2010

УДК 621. 385

Автофазная ЛБВ-Н с переменной фазовой скоростью и соленоидальной фокусировкой со 100% захватом электронов

Е.Д. Белявский, д-р физ. -мат. наук, С.М. Пилипович

Предложена схема выполнения АЛБВ-Н с переменной фазовой скоростью и соленоидальной фокусировкой со 100% захватом электронов, теория такого прибора, программа для его расчета и
проведено при ее помощи исследование эффективности этого прибора. Получен электронный КПД 96% при коэффициенте усиления 40 дБ в однокаскадном выполнении.

Read more on Автофазная ЛБВ-Н с переменной фазовой скоростью и соленоидальной фокусировкой со 100% захватом электронов...

Исследование статических характеристик двухпролетных лавинно-пролетных диодов в аномальном режиме

22 Апр 2010

УДК 621.382.2.029.64

Исследование статических характеристик двухпролетных лавинно-пролетных диодов в аномальном режиме

П.П. Лошицкий, д-р техн. наук, А.В. Павлюченко

Проведены экспериментальные исследования лавинно-пролетных диодов (ЛПД) в аномальном режиме. Показано, что данный режим не является режимом с захваченной плазмой, но для него существенно влияние объемного заряда.

Read more on Исследование статических характеристик двухпролетных лавинно-пролетных диодов в аномальном режиме...

Анализ релаксационных процессов в субмикронном гетеротранзисторе с квантовыми точками

22 Апр 2010

УДК 621.382.323; 621.382.82

Анализ релаксационных процессов в субмикронном гетеротранзисторе с квантовыми точками

В.И. Тимофеев, д-р техн. наук, Е.М. Фалеева

В работе представлен алгоритм моделирования субмикронного гетеротранзистора с квантовыми точками. Описанная модель основана на системе релаксационных уравнений, которые позволяют учитывать процессы релаксации в многодолинных полупроводниках. Проведен анализ пространственного распределения времен релаксации импульса и энергии при полярном оптическом и междолинном механизмах рассеяния.
The algorithm for heterostructure transistor with quantum dots modelling is presented. The described model is based on the system of relaxation equations which allows to take into account relaxation processes in multivalley semiconductors, and to describe submicron structures sufficiently. Spatial distribution of energy and impulse relaxation times are analysed.

Read more on Анализ релаксационных процессов в субмикронном гетеротранзисторе с квантовыми точками...

Температурные исследования надежности матриц мощных светодиодов

22 Апр 2010

УДК 621.396

Температурные исследования надежности матриц мощных светодиодов

В.И. Малицкий, В.Л. Коба, В.Д. Жора, канд. техн. наук, В.Г. Салюта, канд. экон. наук,
Ю. П. Троценко, А.В. Раков, В.П. Грунянская

Проведены температурные исследования надежности матриц мощных светодиодов, собранных с использованием группового гибкого носи

Read more on Температурные исследования надежности матриц мощных светодиодов...

Мощные светодиодные матрицы на анодированной алюминиевой подложке

22 Апр 2010

УДК 621.315.592.2

Мощные светодиодные матрицы на анодированной алюминиевой подложке

В.И. Осинский, д-р техн. наук, В.Г. Вербицкий, д-р техн. наук, В.М. Мацкевич, И.А. Тучинский, Д.С. Мурченко, В.Г. Салюта, Н.О. Ляхова

Исследована технология интеграции мощных светодиодов в состав матриц на анодированной алюминиевой подложке. Проведено сравнение с другими технологиями интеграции, экспериментально определены основные светотехнические характеристики полученных образцов, Изучены тепловые процессы в матрицах и постороена тепловая модель матрицы, предложен вариант конструкции с учетом полученных результатов и представлены основные технологические требования к изготовлению матриц на анодированной алюминиевой подложке.
The technology of the powerful light-emitting diodes integration to the structure of matrixes on the anodized aluminium substrate is researched. Comparison with other technologies of integration is conducted, the experimental basic lighting characteristics of the received samples are obtained. The thermal processes in the matrixes are studied and the thermal model of the matrix was developed, the design variant based on the received results is offered and the basic technology requirements for manufacturing of the matrixes on anodized aluminium are presented.

Read more on Мощные светодиодные матрицы на анодированной алюминиевой подложке...

Технологическая и функциональная интеграция мощных светодиодов на тринитридах и фосфидах

22 Апр 2010

УДК 621.315.592.2

Технологическая и функциональная интеграция мощных светодиодов на тринитридах и фосфидах

В.И. Осинский, д-р техн. наук, В.Г. Вербицкий, д-р техн. наук, И.А. Тучинский

Излагаются результаты комплексных физикотехнологических и информационных исследований процессов интеграции суперлюминесцентных светодиодных гетероструктур на основе тринитридов и фосфидов, полученные при разработке матриц мощных светодиодов на основе гибкого носителя алюминий-полиимид с использованием теплоотвода из оксидированного алю-
миния.
The results of complex physical, technological and information research of the superluminescent LED heterostructure integration processes based on three-nitrides and phosphides are stated in this paper. The results are derived during development of the powerful LEDs matrixes, based on the flexible aluminium-poliimide substrate with application of the oxidized aluminium heat-sink cooling.

Read more on Технологическая и функциональная интеграция мощных светодиодов на тринитридах и фосфидах...

Copyright © 2010 KpiArticle.com
Все права охраняются законодательством Украины. Использование материалов kpiarticle.com разрешается при условии размещения ссылки (для интернет-изданий гиперссылка, не закрытая для индексации поисковыми системами) на kpiarticle.com