Твердотельная электроника
« Раньше Позже »Діодне джерело загального освітлення одержане гібридною інтеграцією А3 В5 RGB чипів з кремнієвими транзисторними структурами
22 Апр 2010УДК 621.315.592.2
Діодне джерело загального освітлення одержане гібридною інтеграцією А3 В5 RGB чипів з кремнієвими транзисторними структурами
В.І. Осінський, д-р техн. наук, В.О. Завалішин, О.І. Радкевич, Д.С. Мурченко, І.А. Тучинський, Ю.П. Троценко, В.П. Грунянська
Особенности программного обеспечения микропроцессорного управления RGB источниками белого света на интегральных матрицах светодиодов
22 Апр 2010УДК 621.315.592.2
Особенности программного обеспечения микропроцессорного управления RGB источниками белого света на интегральных матрицах светодиодов
В.А. Завалишин, А.И. Радкевич, Д.С. Мурченко
Предложен вариант микропроцессорного регулирования баланса белого света RGB источника с использованием ШИМ регулирования мощности светового излучения RGB светодиодов и обратной связи по мощности светового излучения.
Ионно-твердофазная наноэпитаксия гетероструктур арсенида-нитрида галлия
22 Апр 2010УДК 621.315.592.2
Ионно-твердофазная наноэпитаксия гетероструктур арсенида-нитрида галлия
В.И. Осинский, д-р техн. наук, В.Г. Вербицкий, д-р техн. наук, В.И. Глотов, Д.О. Мазунов, канд. физ. -мат. наук
Предложен нетрадиционный метод получения гетерогенных наноструктур арсенидов-нитридов
галлия путем замещения части атомов мышьяка низкоэнергетичными ионами азота в твердой фазе монокристаллической пленки арсенида галлия. Экспериментально получены нанослои GaAs1-хNх в низкоэнергетической плазме азота. Показана возможность замещения атомов мышьяка атомами азота при сравнительно низкой температуре при условии достижения энергии ионов, необходимой для разрыва в достаточном количестве химических связей Ga–As и встраивания атомов азота в пленку с образованием локальной фазы GaAsN.
Read more on Ионно-твердофазная наноэпитаксия гетероструктур арсенида-нитрида галлия...
Темплетні шари для наногетероструктур Si/А3В5
22 Апр 2010УДК 621.315.592.2
Темплетні шари для наногетероструктур Si/А3В5
В.І. Осінський, д-р техн. наук, В.А. Лабунов, д-р техн. наук, Г.Г. Горох, канд. техн. наук, Н.М. Ляхова, Н.О. Ляхова, Д.В. Соловей
Рассмотрены функции темплетных слоев при формировании наногетероструктур А3В5. На кремниевых подложках получены темплетные нанослои анодного пористого алюминия.
Read more on Темплетні шари для наногетероструктур Si/А3В5...
Светотехнические характеристики интегральных 2×2 матриц светодиодов и светофоров на их основе
22 Апр 2010УДК 621.396
Светотехнические характеристики интегральных 2×2 матриц светодиодов и светофоров на их основе
В.Л. Коба, В.И. Малицкий, В.Г. Салюта, канд. эконом. наук, В.Г. Вербицкий, д-р техн. наук, В.К. Онищенко,
Е.И. Новиков, канд. техн. наук, А.В. Раков
Based on PSoC Smart Sensor of Gas Density
21 Апр 2010УДК 621.317
Based on PSoC Smart Sensor of Gas Density
V.F. Zavorotnyi, R. Chobik, A.V. Borisov
На основе программируемой системы на кристалле (PSoC) и тонкопленочной МЕМС структуры разработан смарт-сенсор, использующий новый метод определения плотности газа. Этот сенсор имеет такие преимущества перед аналогами, как стабильность характеристик, долговечность, малые размеры, наличие ряда стандартных цифровых и беспроводного интерфейсов. На основе PSoC выполнены все необходимые компоненты измерительной системы. Беспроводный интерфейс обеспечивается дополнительным чипом с 2,4 ГГц радио передатчиком с расширением спектра прямой последовательностью (DSSS) и Гауссовской частотной манипуляцией (GFSK) (производства корпорации Cypress Semiconductor). При выполнении на традиционных компонентах измерительная система была бы громоздкой и дорогой.
Read more on Based on PSoC Smart Sensor of Gas Density...
Компенсация частотной зависимости фазового сдвига диэлектрического фазовращателя с электромеханическим управлением на основе микрополосковой линии передачи
20 Апр 2010УДК 621.382.383
Компенсация частотной зависимости фазового сдвига диэлектрического фазовращателя с электромеханическим управлением на основе микрополосковой линии передачи
П.М. Фалеев, И.П. Голубева, канд. техн. наук, Ю.В. Прокопенко, канд. техн. наук
В работе рассмотрен диэлектрический фазовращатель с электромеханическим управлением. Показано, что такие устройства имеют частотную зависимость фазового сдвига. Предложен метод компенсации частотной зависимости фазового сдвига при помощи линий передачи, построенных по принципу метаматериала. Приведены характеристики, иллюстрирующие умень-
шение частотной зависимости.
The dielectric phase shifter with electromechanical tuning is observed. It is shown, that such devices have frequency dependence of phase shift. The method of the phase shift frequency dependence compensation by means of the metamaterial-like transmission lines is presented. The decrease of frequency dependence is illustrated.
Радіаційні характеристики напівпровідникових детекторів α- , β- , g-випромінювання на основі p-i-n структур і застосування в дозиметричних і радіометричних приладах
20 Апр 2010УДК 621.382: 621.383.8
Радіаційні характеристики напівпровідникових детекторів α- , β- , g-випромінювання на основі p-i-n структур і застосування в дозиметричних і радіометричних приладах
В.Л. Перевертайло, канд. фіз. -мат. наук, А.В. Приходько, Л.І. Тарасенко, А.В. Перевертайло, Е.А. Шкіренко
« Раньше Позже »