« Доноры и акцепторы в процессе самоорганизации тонких пленок светочувствительных органических полупроводников | Главная | Adaptability of the majority carrier concentration permanence assumption in modeling of the junctions »
Генератор топологии статических оперативных запоминающих устройств
Автор: admin | 19 Апр 2010
УДК 621.315
Генератор топологии статических оперативных запоминающих устройств
Н.Б. Груданов, канд. техн. наук, О.Н. Дудник, М.Н. Рубанец, А.Н. Груданов
Представлен кремниевый компилятор – генератор статической синхронной оперативной памяти (ГП) для КМОП технологий с проектными нормами 0.25 и 0.28 мкм. В основе кремниевого компилятора лежит метод стандартных ячеек (макроячеек, leaf-cells), что позволило оптимизи- ровать как площадь кристалла, так и временные и электрические параметры. Генератор памяти позволяет генерировать около 80000 различных конфигураций памяти однопортовых ОЗУ и более 600000 конфигураций двухпортовых ОЗУ. Полученная с помощью генератора память имеет время считывания (tacc) для 64КБ не более 3.3 нс при температуре окружающей среды Т=85°С и напряжении питания VCC = 2 В.
Presented The silicon compiler – memory generator (MG) for synchronous single and dual port
SRAM for 0.25 mm and 0.28 mm CMOS technologies is presented. MG has possibility to generate more than 80000 memory combinations for single port and more than 600000 combinations for dual port SRAM. MG is based on leaf sells approach that allows to get minimized chip area and timing parameters. Memory generated with MG has high speed and for example for 64 kB tacc<3.3 ns under the room temperature and VCC=2 V.
Введение
Проектирование систем на кристалле (СнК) наряду с развитыми средствами САПР общего назначения требует применения специализированных средств проектирования, в частности для генерации топологии регулярных структур, таких, как ОЗУ, ПЗУ, РПЗУ, ПЛМ. Например, количество различных блоков ОЗУ на кристалле может исчисляться десятками, и отличаться друг от друга блоки памяти могут емкостью, длиной слова, количеством портов, наличием или отсутствием встроенных средств самотестирования и т.д. Для сокращения сроков и стоимости разработки СнК широкое распространение получили так называемые генераторы памяти – специализированные кремниевые компиляторы, предназначенные для генерации топологии таких структур. Генератор памяти позволяет автоматически получать топологию памяти по заданным на входе параметрам блока. Существуют два различных подхода [1-3] к генерации памяти: первый – полностью автоматическая генерация всей топологии, второй – сборка памяти из макроячеек. Первый способ [4] позволяет с минимальными предварительными затратами получить результат, но не позволяет оптимально использовать площадь кристалла и не гарантирует получение необходимых временных и электрических параметров. Второй способ [5] требует некоторого времени для разработки вручную топологии библиотеки макроячеек, из которых будет собираться память, но зато он позволяет максимально оптимизировать площадь кристалла и получить гарантированные электрические и временные параметры. В данной работе описывается генератор статической синхронной оперативной памяти, построенный на основе метода сборки памяти из макроячеек. Генератор памяти представляет собой комплекс топологических библиотек и программ, предназначенных для автоматического создания топологии блоков синхронных статических запоминающих устройств с необходимой для пользователя организацией.
Полный текст статьи: Генератор топологии статических оперативных запоминающих устройств
Темы: Твердотельная электроника | Комментариев нет