« CV-исследования электрофизических параметров тонких пленок СеО2 в МДП-структуре Al-СеО2-n-Si-Al | Главная | Мульти тестер ФЭП »
Математическое моделирование токов полупроводниковой структуры с p-n переходом
Автор: admin | 20 Апр 2010
УДК 621.382
Математическое моделирование токов полупроводниковой структуры с p-n переходом
Л.И. Самотовка, В.Л. Самотовка
На основе модифицированных функций Бесселя n-го порядка предложен метод нахождения функциональных зависимостей спектра токов, протекающих в полупроводниковой структуре с p-n переходом. Также приведены зависимости токов разностной частоты и среднее арифметическое значение токов на первой частоте при одно- и двухчастотном воздействии.
Method based on modified Bessel functions for determination of currents which flows through semiconductor structure with p-n junction is introduced. The current relations for differential frequency and the arithmetical mean for the first frequency currents under one- and two-frequency excitation are also obtained.
Введение
Известны методы определения параметров полупроводниковых структур с p-n переходом (ПС) путем представления их статических вольтамперныххарактеристик (ВАХ) в полулогарифмическом масштабе [1]. Более высокопроизводительный способ определения информативных параметров ПС основан на использовании функциональной зависимости i = f (αt),
где V0 = αt, t – время линейнонарастающего напряжения. А параметры ПС определяются путем измерения значений первой и максимального значения второй производных от ВАХ. Этот метод характеризуется низкой чувствительностью, так как уровень полезного сигнала должен превышать уровень шумов в ПС не менее чем в 10 раз [2]. Известно также, что гармоническое электрическое напряжение в некотором интервале времени можно выделить, если уровень шумов превышает уровень полезного гармонического напряжения в тысячу раз [3]. В настоящей работе предложен способ нахождения аналитических зависимостей для постоянного и гармонических токов первой, второй, удвоенной, разностной и суммарной частот от значений модифици рованных функций Бесселя. Зависимости определялись при воздействии на ПС суммы постоянного напряжения прямого смещения p-n перехода и двух малосигнальных гармонических напряжений с разными, но близкими по значению частотами.
Полный текст статьи: Математическое моделирование токов полупроводниковой структуры с p-n переходом
Темы: Твердотельная электроника | Комментариев нет