« Международная молодежная научно-практическая конференция «История развития науки, техники и образования» | Главная | Зависимость коэффициента распределения примеси при кристаллизации кремния от степени легирования »
Механизмы рассеяния и параметры нитрида галлия
Автор: admin | 19 Апр 2010
УДК 621.382
Механизмы рассеяния и параметры нитрида галлия
К.В. Куликов, В.А. Москалюк, канд. техн. наук
С помощью аналитических выражений для времен релаксации при различных механизмах рассеяния для кубического нитрида галлия рассчитаны поле-скоростная и поле-температурная характеристики, а также функция заселенности долин в сильном электрическом поле. Предлагается набор исходных для моделирования параметров, обеспечивающих удовлетворительное совпадение рассчитанных характеристик с известными [1].
The field-velocity and field-temperature characteristics are calculated using the analytical expressions for relaxation times of different scattering mechanisms as well as the valleys’ occupation function for gallium nitride in the strong electric field. The set of initial parameters for modeling providing satisfactory compliance of calculated characteristics with present ones [1] is proposed.
Введение
Технологическое освоение новых полупроводниковых материалов для создания новых электронных компонентов обычно сопровождается повышенным интересом к его электрическим параметрам, которые необходимы для моделирования различных полупроводниковых структур. Это в полной мере относится и к такому перспективному для многих применений соединению, как нитрид галлия. Для него имеющиеся в справочной и научной литературе данные неполны, а зачастую и противоречивы. В данной работе сделана попытка на основе анализа механизмов рассеяния электронов и расчета времен релаксации обобщить имеющуюся информацию о электронных свойствах нитрида галлия в сильном электрическом поле. Это позволяет обеспечить потребности, возникающие при создании моделей электронных компонентов различного уровня сложности и назначения.
Полный текст статьи: Механизмы рассеяния и параметры нитрида галлия
Темы: Твердотельная электроника | Комментариев нет