Діодне джерело загального освітлення одержане гібридною інтеграцією А3 В5 RGB чипів з кремнієвими транзисторними структурами
22 Апр 2010УДК 621.315.592.2
Діодне джерело загального освітлення одержане гібридною інтеграцією А3 В5 RGB чипів з кремнієвими транзисторними структурами
В.І. Осінський, д-р техн. наук, В.О. Завалішин, О.І. Радкевич, Д.С. Мурченко, І.А. Тучинський, Ю.П. Троценко, В.П. Грунянська
Темплетні шари для наногетероструктур Si/А3В5
22 Апр 2010УДК 621.315.592.2
Темплетні шари для наногетероструктур Si/А3В5
В.І. Осінський, д-р техн. наук, В.А. Лабунов, д-р техн. наук, Г.Г. Горох, канд. техн. наук, Н.М. Ляхова, Н.О. Ляхова, Д.В. Соловей
Рассмотрены функции темплетных слоев при формировании наногетероструктур А3В5. На кремниевых подложках получены темплетные нанослои анодного пористого алюминия.
Read more on Темплетні шари для наногетероструктур Si/А3В5...