CV-исследования электрофизических параметров тонких пленок СеО2 в МДП-структуре Al-СеО2-n-Si-Al
20 Апр 2010УДК 621.382
CV-исследования электрофизических параметров тонких пленок
СеО2 в МДП-структуре Al-СеО2-n-Si-Al
Л.Н. Королевич, А.В. Борисов, А.С. Прокопенко, А.Н. Миняйло
В работе исследуются электрофизические параметры тонких пленок СеО2 в МДП-структуре Al-СеО2-n-Si-Al, полученных методом “взрывного” испарения.
Доноры и акцепторы в процессе самоорганизации тонких пленок светочувствительных органических полупроводников
19 Апр 2010УДК 621.315.592
Доноры и акцепторы в процессе самоорганизации тонких пленок светочувствительных органических полупроводников
Е.Я. Швец, канд. техн. наук, Н.Н. Турба, канд. физ. -мат. наук, Е.И. Зубко
Установлено число общих для основных классов донорно–акцепторных комплексов закономерностей изменения квантового выхода в зависимости от параметров структуры молекул. Представленные структурные закономерности фотофизических процессов дают возможность прогнозировать предельный квантовый выход фотопроцессов в полимерных органических полупроводниках и их молекулярных комплексах, а также предельные величины светочувствительности регистрирующих сред на их основе.