Последние статьи:

Translator

МЕТОДИ ВИМІРЮВАННЯ M-ПАРАМЕТРА В ТРАНЗИСТОРНИХ ПЛАНАРНИХ СТРУКТУРАХ

15 Апр 2010

МЕТОДИ ВИМІРЮВАННЯ M-ПАРАМЕТРА В ТРАНЗИСТОРНИХ ПЛАНАРНИХ СТРУКТУРАХ

А.М. Пасічник

Останнім часом параметр m залучає все більше уваги, як параметр, що однозначно характеризує стан поверхні напівпровідникових приладів . Визначення величини параметра m дозволить оперативно оцінити технологію й увести в неї певні корективи для виготовлення якісної продукції. Всі можливі методи визначення параметра m ґрунтуються на тім факті, що струм, що протікає в прямому напрямку через р-n перехід, являє собою суму струмів основних і неосновних носіїв. За результатами виміру m-фактора в області мікрострумів можна судити про надійність і шумові характеристики транзисторів і виконаних на них структур у діапазоні як мікро- , так і міліамперных струмів. Практична доцільність введення вхідного контролю транзисторів по m-фактору за допомогою простого й надійного у виробничих умовах напівавтомата не викликає сумнівів. У виробництві ИС можна контролювати характеристики транзисторних структур, визначаючи m-фактор на «тестовому» транзисторі. Об’єктом розгляду є m-параметр напівпровідникових планарних структур. Предмет роботи – оцінка значення m-параметра й висновки про справність приладів.

Read more on МЕТОДИ ВИМІРЮВАННЯ M-ПАРАМЕТРА В ТРАНЗИСТОРНИХ ПЛАНАРНИХ СТРУКТУРАХ...

ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРУ ДЛЯ СЕЛЕКЦІЇ ІОНІВ Н+, ЯКИЙ КЕРУЄТЬСЯ ПРОЦЕСАМИ В ГІБРИДНОМУ МОНО РЕЖИМІ

05 Апр 2010

ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРУ ДЛЯ СЕЛЕКЦІЇ ІОНІВ Н+, ЯКИЙ КЕРУЄТЬСЯ ПРОЦЕСАМИ В ГІБРИДНОМУ МОНО РЕЖИМІ

І.О. Михайлов

В даній доповіді пропонується хімічна селекція іонів з використанням вентильного горизонтального біполярного планарного транзистору (ГБПТ). Розглядаються основні характеристики даного приладу та фізичні відмінності між ним та приладом, виконаним на основі бездомішкового польового МОН-транзистору, при дослідженні іонного детектування. ГБПТ з’явилися в кінці 1960 року. Відтоді проводилась інтенсивна дослідницька робота над характеристиками приладу, з метою його застосування як частини електронних схем. Біполярний прилад, реалізований за існуючою КМОН (комплементарна логіка на транзисторах метал-оксид-напівпровідник) технологією, гарантує вдосконалення характеристик системи при одночасному зменшенні вартості виготовлення. З цієї точки зору вентильний ГБПТ був пристосований до цифрових КМОН технологій, оскільки біполярні характеристики ГБПТ можна було реалізовувати без будь-яких модифікацій звичайного КМОН процесу. Вентильні ГБПТ по суті можуть використовувати структуру польових МОН транзисторів із затвором, витоком, стоком та джерелом. Чистий іоно-селективний транзистор (ІСТ) на основі МОН діє як електрохімічний вхідний перетворювач (датчик), який конвертує концентрацію іонів в корисний електронний сигнал в електрохімічній системі вимірювання. ІСТ складається з першого перетворювача, який перетворює концентрацію іонів гідрогену в поверхневу різницю потенціалів на структурі електроліт-ізолятор-напівпровідник (ЕІН), та другого перетворювача, що базується на теорії МОН та перетворює поверхневу різницю потенціалів в електричний сигнал. До нашого часу більшість дослідницьких робіт були зосереджені на першому перетворювачі, тобто на селекції плівок матеріалів з метою збільшення їх чутливості. Проте дана стаття фокусує увагу на другому перетворювачі, який працює використовуючи не чисту (бездомішкову) МОН-структуру, а біполярну або гібридну МОН-структуру. Навіть не дивлячись на те, що вентильний ГБПТ широко використовується як схемний елемент, не було доповідей про сфери застосування, які пов’язані з детектування іонів при зануренні в іонний розчин. Метою цієї публікації є продемонструвати, що вентильні ГБПТ, які використовують польові з домішками МОН-структури, роблять електрохімічний сенсор доступним, а характеристики цього приладу можуть бути легко пристосовані для вимірювань pH.

Read more on ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРУ ДЛЯ СЕЛЕКЦІЇ ІОНІВ Н+, ЯКИЙ КЕРУЄТЬСЯ ПРОЦЕСАМИ В ГІБРИДНОМУ МОНО РЕЖИМІ...

Copyright © 2010 KpiArticle.com
Все права охраняются законодательством Украины. Использование материалов kpiarticle.com разрешается при условии размещения ссылки (для интернет-изданий гиперссылка, не закрытая для индексации поисковыми системами) на kpiarticle.com