« Мікрохвильові компоненти багатофункціональних інформаційних систем | Головна | Внесок обмінного взаємодії та анізотропії в відображення об'ємних спінових хвиль від мультіслойной структури »
Нові конструкції напівпровідніковіх тонкоплівковіх 3-D сенсорів магнітного поля
Автор: admin | 26 травня 2010
УДК 621.315
І.А. Большакова, д-р техн. наук, Р.Л. Голяка, д-р техн. наук, О.Ю. Макідо, канд. техн. наук, Т.А. Марусенкове
Нові конструкції напівпровідніковіх тонкоплівковіх 3-D сенсорів магнітного поля
Аналізуються проблеми створення гальваномагнітних 3-D сенсорів для виміру ортогональних проекцій BX, BY, BZ вектора індукції магнітного поля. Запропонований-дружина нова конструкція 3-D сенсора на ос-нове напівпровідників групи A3B5. У отли-ки від відомих аналогів, реалізація ко-торих припускає використання базису кремнієвих інтегральних схем, запропоновані сенсори виготовляються на основі тонкоплівкової технології і не вимагають ізолюючих pn переходів. Це забезпечують-ється високу стабільність створених сен-соров в екстремальних умовах експлуатації.
The problems of galvanomagnetic 3-D sensors development for measurement of magnetic field induction's BX, BY, BZ orthogonal projections are analyzed. The new construction of 3-D sensor on semiconductor group A3B5 is proposed. Proposed sensors are produced using thin film technology and do not require pn junction isolation in comparison to known analogs which mean silicon integrated circuits basis. This provides high stability of created sensors in harsh environment conditions.
Вступ
Дана робота присвяч 3-D сенсорам магнітного поля, які дозволяють проводитись вімірювання трьох ортогональних проекції BX, BY та BZ вектора індукції магнітного поля без Перелік нормативних просторового положення сенсорів. Засад державно-го важливими ознайо таких сенсорів є також їх Реалізація у віді єдиного структурного елементи [1]. Для задовольняють використовують спеціальні конст-рукції перетворювачів Холла (ПХ) [2, 3] та магнітотранзісторів [4]. Конструкція 3-D сенсора магнітного поля на основі ПХ - Це об'ємна напівпровіднікова інте-гральних структура з декількома вивода, кім-бінуючі проходження Струму через які та вімірюючі відповідні напруг, визначають Складові поля BX, BY, BZ. Ідеалізована модель 3 - D Перетворювач Холла (рис. 1) містіть на-півпровіднікову область кубічної форми (S) з 6 - ма вивода, Що розміщені строго по центру граней кубу. Зокрема, при проходженні Струму загоєння сенсора через виводів 1 та 2 Між ви-водами 3 та 4 вінікає різніця потенціалів, Що пропорційна до BZ вектора індукції магнітного поля. Різніця потенціалів Між вивода 5 та 6 (вівід 6 Розміщено на протілежній до виводу 5 Грані) є інформатівною завбільшки BY вектора індукції магнітного поля. Аналогічно, при про-ходженні Струму через виводів 3 та 4 можна від-ріматі сигнали про BX та BZ, а при проходженні Струму через виводів 5 та 6 - сигнали про BX та BY вектор індукції магнітного поля.
Теми: Твердотільна електроніка | Коментарів немає
