CV-дослідження електрофізичних параметрів тонких плівок СеО2 в МДП-структурі Al-СеО2-n-Si-Al
20 квітня 2010УДК 621.382
CV-дослідження електрофізичних параметрів тонких плівок
СеО2 в МДП-структурі Al-СеО2-n-Si-Al
Л.Н. Королевич, А.В. Борисов, А.С. Прокопенко, О.М. Міняйло
У роботі досліджуються електрофізичні параметри тонких плівок СеО2 в МДП-структурі Al-СеО2-n-Si-Al, отриманих методом "вибухового" випаровування.
Донори і акцептори в процесі самоорганізації тонких плівок світлочутливих органічних напівпровідників
19 квітня 2010УДК 621.315.592
Донори і акцептори в процесі самоорганізації тонких плівок світлочутливих органічних напівпровідників
Е.Я. Швець, канд. техн. наук, М.М. Турба, канд. фіз. -Мат. наук, Є.І. Зубко
Встановлено число спільних для основних класів донорно-акцепторних комплексів закономірностей зміни квантового виходу в залежності від параметрів структури молекул. Представлені структурні закономірності фотофізичних процесів дають можливість прогнозувати граничний квантовий вихід фотопроцесів в полімерних органічних напівпровідниках та їх молекулярних комплексах, а також граничні величини світлочутливості реєструючих середовищ на їх основі.