МЕТОДИ ВІМІРЮВАННЯ M-ПАРАМЕТРА в транзисторних планарних структурах
15 квітня 2010МЕТОДИ ВІМІРЮВАННЯ M-ПАРАМЕТРА в транзисторних планарних структурах
А.М. Пасічник
Останнім часом параметр m залучає все Більше Увага, Як параметр, Що однозначно характеризує стан поверхні напівпровідніковіх пріладів. Визначення величини параметра m дозволити оперативно оцініті технологію й повести в неї певні корективи для виготовлення якісної продукції. Всі можліві методи визначення параметра m грунтуються на ТІМ факті, Що струм, Що протікає в прямому напрямком через р-n Перехід, являє собою суму струмів основних и неосновних носіїв. За результатами віміру m-фактора в області мікрострумів можна судити про надійність и шумові характеристики транзісторів и виконан на них структур у діапазоні Як мікро-, так и міліамперних струмів. Практична доцільність Введення вхідного контролю транзісторів по m-фактору за допомога простого й надійного у виробничих умов напівавтомата НЕ віклікає сумнівів. У віробніцтві ІС можна контролюваті характеристики транзисторних структур, визначаючи m-фактор на «тестового» транзісторі. Об'єктом Розгляд є m-параметр напівпровідніковіх планарних структур. Предмет роботи - Оцінка Значення m-параметра й Висновки про справність пріладів.
Read more on МЕТОДИ ВІМІРЮВАННЯ M-ПАРАМЕТРА в транзисторних планарних структурах ...
Характеристик транзистора ДЛЯ СЕЛЕКЦІЇ ІОНІВ Н +, Який КЕРУЄТЬСЯ процесів в ГІБРІДНОМУ МОНО РЕЖІМІ
5 квітня 2010Характеристик транзистора ДЛЯ СЕЛЕКЦІЇ ІОНІВ Н +, Який КЕРУЄТЬСЯ процесів в ГІБРІДНОМУ МОНО РЕЖІМІ
І.О. Михайлов
В даній Доповіді пропонується Хімічна селекція іонів з Використання вентильного горизонтального біполярного планарного транзистору (ГБПТ). Розглядаються Основні характеристики даного прилади та фізічні відмінності Між ним та приладнати, виконанням на Основі бездомішкового польовий МОН-транзистору, при дослідженні іонного детектування. ГБПТ з'явилися в кінці 1960 року. Відтоді проводилася інтенсівна дослідніцька робота над характеристиками прилади, з Метою йо застосування Як частин електронний схем. Біполярній приладнати, реалізованій за існуючою КМОН (комплементарна Логіка на транзисторах метал-оксид-напівпровіднік) технологією, гарантує вдосконалення характеристик системи при одночасного зменшенні вартості виготовлення. З цієї точки зору вентильний ГБПТ БУВ прістосованій до цифрових КМОН технологій, оскількі біполярні характеристики ГБПТ можна Було реалізовуваті без будь-яких модіфікацій звичайна КМОН процесу. Вентільні ГБПТ по суті можут вікорістовуваті структуру Польових МОН транзісторів спектр поліграфічних затвором, виток, стоком та джерелом. Чистий іоно-селективний транзистор (ІСТ) на Основі МОН діє Як електрохімічній вхідній Перетворювач (датчик), Який конвертує концентрацію іонів в корисний електронний сигнал в електрохімічній сістемі вімірювання. ІСТ складається з Першого Перетворювач, Який перетворює концентрацію іонів гідрогену в Поверхнево різніцю потенціалів на структурі електроліт-ізолятор-напівпровіднік (ЕІН), та іншого Перетворювач, Що базується на Теорії МОН та перетворює Поверхнево різніцю потенціалів в електричних сигнал. До нашого часу більшість дослідніцькіх робіт булі зосереджені на першому перетворювачі, тоб на селекції плівок матеріалів з Метою збільшення їх чутлівості. Протей дана стаття фокусує Увага на іншому перетворювачі, Який працює вікорістовуючі не чисто (бездомішкову) МОН-структуру, а біполярну або гібрідну МОН-структуру. Навіть НЕ дивлячися на ті, Що вентильний ГБПТ широко вікорістовується Як схемний елемент, не Було Доповідей про сфери застосування, які пов'язані з детектування іонів при зануренні в іонній Розчини. Метою цієї Публікації є продемонструваті, Що вентільні ГБПТ, які вікорістовують Польові з домішкамі МОН-структури, роблять електрохімічній сенсор доступним, а характеристики цього прилади можут буті легко прістосовані для вімірювань pH.