« Механизмы рассеяния и параметры нитрида галлия | Главная | Доноры и акцепторы в процессе самоорганизации тонких пленок светочувствительных органических полупроводников »
Зависимость коэффициента распределения примеси при кристаллизации кремния от степени легирования
Автор: admin | 19 Апр 2010
УДК 621.315.592
Зависимость коэффициента распределения примеси при кристаллизации кремния от степени легирования
Е.Я. Швец, канд. техн. наук, Ю.В. Головко
По экспериментальным данным рассчитана величина эффективного коэффициента распределения примеси бора в процессе выращивания монокристаллов кремния. Показано, что эффективный коэффициент распределения бора на начальных стадиях процесса выращивания сильно легированных монокристаллов кремния значительно ниже, чем при выращиванции слабо легированных монокристаллов, но к концу процесса выращивания его значение существенно увеличивается.
On experimental data the size of effective segregation coefficient of an impurity of a boron is determined during growth of silicon single crystals. It is shown, that the effective segregation coefficient of a boron at initial stages of growth process of heavily doped silicon single crystals is much lower, than at growth process of not heavily doped crystals, but by the end of growth its value essentially increases.
Введение Применение кремниевых наноструктур весьма перспективно в микро- , опто- и наноэлектронике вследствие лёгкости их интегрирования в технологию кремниевых микросхем [1,2]. Монокристаллические подложки кремния для наноструктур часто легированы заданными примесями до концентраций 1018…1019 см-3 [2], что является высоким уровнем легирования для полупроводникового кремния. Это обстоятельство определяет актуальность исследования зависимости распределения примеси в процессе кристаллизации кремния от степени его легирования
Темы: Твердотельная электроника | Комментариев нет